Porsche переносить технологію з галузі силової електроніки у преміальні автомобільні аудіосистеми. У новому підсилювачі сабвуфера компанія вперше використає напівпровідники з нітриду галію замість традиційних кремнієвих компонентів. Серійне виробництво має розпочатися у 2027 році.
Розробку створили інженери Porsche спільно з Інститутом надійних силових напівпровідникових систем Університету Штутгарта. Технологію інтегрували в аудіосистему об'ємного звучання Burmester 3D High-End Surround Sound. Спеціальний GaN-чип відповідає за перетворення напруги для 400-ватного підсилювача сабвуфера.
Нітрид галію дає змогу напівпровідникам працювати з вищою частотою перемикання та меншими втратами енергії, ніж у кремнієвих транзисторів. Завдяки цьому електроніка виділяє менше тепла, а підсилювач можна зробити компактнішим і легшим без зменшення його потужності.
Менше нагрівання також знижує вимоги до охолодження. У новому підсилювачі радіатор приблизно на 20% легший, а конденсатори та котушки можуть мати менші розміри. Скорочення кількості алюмінію додатково зменшує викиди вуглекислого газу під час виробництва аудіосистеми.
Ідея застосувати нітрид галію в автомобільному звуці з'явилася у Porsche в середині 2023 року. Навесні 2024-го фахівці з аудіотехніки, напівпровідників і сталого виробництва розпочали створення першого прототипу. Після випробувань конструкцію підготували до серійного використання, а кілька пов'язаних із нею рішень уже подали на патентування.
Першою GaN-підсилювач отримає одна з майбутніх моделей Porsche у 2027 році, але компанія поки не уточнює, яка саме. Надалі технологію можуть поширити на інші компоненти аудіосистем і високовольтну електроніку електричних спорткарів, де також необхідне ефективне перетворення енергії.
Водночас Porsche не заявляє, що новий підсилювач помітно збільшить запас ходу електромобілів. Його безпосередні переваги полягають у меншій масі, компактніших розмірах, нижчому тепловиділенні та ефективнішій роботі аудіосистеми.